近年來, 有機半導體(ti) 材料與(yu) 器件領域的研究和開發取得了日新月異的進展，其中有機電致發光二極管、有機薄膜晶體(ti) 管、有機太陽能電池、有機存 儲(chu) 器、有機傳(chuan) 感器、有機raybet雷竞技的新浪微博等相關(guan) 有機半導體(ti) 材料與(yu) 器件的研究取得了大量的研究成果。隨著有機半導體(ti) 材料與(yu) 器件研究和開發的深入, 研究人員越發清楚地認識到, 有機半導體(ti) 中載流子的傳(chuan) 輸能力是影響有機半導體(ti) 器件性能的一個(ge) 至關(guan) 重要的因素。衡量有機半導體(ti) 材料載流子傳(chuan) 輸能力的主要參數是載流子遷移率u, 它直接反映了載流子在電場作用下的運動能力, 因此載流子遷移率的測量是有機半導體(ti) 材料與(yu) 器件研究中的重要內(nei) 容。
我公司推出有機太陽能電池OPV、鈣鈦礦太陽能電池、OLED器件和其他有機半導體(ti) 器件載流子遷移率測量係統，為(wei) 廣大科研工作者和研發機構提供了有力的測試工具。
主要應用：
*無機半導體(ti) 材料，有機半導體(ti) 材料OLED等；
*有機太陽能電池OPV；
*鈣鈦礦太陽能電池Perovskite Solar Cell；
*無機太陽能電池（例如：單晶矽、多晶矽、非晶矽等矽基太陽能電池）；
*染料敏化太陽能電池DSSC；
主要測量功能：
****功率點MMP，FF，Voc，Isc，遷移率，理想因子（空間電荷限製電流SCLC法）
*電子與(yu) 空穴遷移率，載流子俘獲動力學過程（瞬態光電流法）
*電子與(yu) 空穴的複合，載流子俘獲動力學過程（瞬態光電壓/瞬態開路電壓法）
*俘獲動力學過程（雙脈衝(chong) 瞬態光電流）
*載流子遷移率（暗注入瞬態法）
*串聯電阻，幾何電容，RC時間（電壓脈衝(chong) 法）
*參雜密度，電容率，串聯電阻，載流子遷移率（暗態線性增加載流子瞬態法）
*載流子遷移率，載流子密度（光照線性增加載流子瞬態法）
*載流子複合過程，朗之萬(wan) 函數複合前因子（時間延遲線性增加載流子瞬態法）
*不同工作點的載流子強度，載流子遷移率（注入線性增加載流子瞬態法）
*幾何電容，電容率（MIS線性增加載流子瞬態法）
*載流子遷移率，陷阱強弱度，等效電路（阻抗譜測試）
*遷移率，陷阱強弱度，電容，串聯電阻（電容VS頻率）
*內(nei) 建電壓，參雜濃度，注入勢壘，幾何電容（電容VS電壓）
*發射開關(guan) 電壓（電流電壓照度特性）
*發光壽命，載流子遷移率（瞬態電致發光法）
測量技術：
1）IV/IVL特性：IV和IVL曲線是針對OLED和OPV標準的量測手法，通過曲線可以得到樣品的電流電壓特性關(guan) 係、電流電壓與(yu) 光強的特性關(guan) 係；
*對於(yu) 太陽能電池可通過空間電荷限製電流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和遷移率等；
2）瞬態光電流響應法（Transient Photocurrent ）：研究器件內(nei) 電荷載流子俘獲動態過程和載流子遷移率等；
3）瞬態光電壓（Transient Photovoltage）：研究器件內(nei) 部電荷載流子俘獲動態過程和複合過程；
4)雙脈衝(chong) 瞬態光電流（Double Transient Photocurrent）：分析電荷載流子俘獲動態過程；
5)暗注入瞬態法（Dark Injection）：電荷載流子遷移率分析；
6)電壓脈衝(chong) 法（Voltage Pulse）：串聯電阻、幾何電容和RC效應分析；
7)暗態線性增壓載流子瞬態法（Dark-CELIV）：參雜濃度、相對介電常數、串聯電阻、電荷載流子遷移率測量；
8)光照線性增壓載流子瞬態法（Photo-CELIV）：提取有機太陽能電池片內(nei) 載流子遷移率mobility ，以及載流子濃度分析等；
9)時間延遲線性增壓載流子瞬態法（Delaytime-CELIV）：複合動態過程分析和郎之萬(wan) 複合因子分析等；
10）注入線性增壓載流子瞬態法（Injection-CELIV）：電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率測量分析；
11）MIS-CELIV：幾何電容和相對介電常數分析；
12）阻抗譜測量（Impedance Spectroscopy）：量測器件內(nei) 電荷載流子遷移率和載流子俘獲動態過程等；
13）電容頻率測量法（C-f）: 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯電阻測量；
14）電容電壓測量法（C-V）：內(nei) 建電壓、參雜濃度和幾何電容等測量；
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